安徽進步半導體科技

ANHUI ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

優質氮化鎵外延片供應商

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擁有MOCVD外延生長設備5臺，可直接提供2~8英寸微波射頻/電力電子應用GaN外延材料，年產能GaN外延片3000片。

硅基氮化鎵外延片

GaN-on-silicon

4-8inch 硅基氮化鎵外延片，可滿足電力電子級射頻功率器件應用

多種襯底氮化鎵外延片

Multiple substrate Gan epitaxial wafers

碳化硅、藍寶石、氮化鎵等多種類型襯底的氮化鎵外延片

GaN電力電子器件

GaN power electronic devices

650V~1200V，10A-40A氮化鎵電力電子器件。